NSBC115EPDXV6T1G

SS SOT563 RSTR XSTR TR
NSBC115EPDXV6T1G P1
NSBC115EPDXV6T1G P1
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ON Semiconductor ~ NSBC115EPDXV6T1G

Numéro d'article
NSBC115EPDXV6T1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
SS SOT563 RSTR XSTR TR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NSBC115EPDXV6T1G PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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Numéro d'article NSBC115EPDXV6T1G
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 357mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur SOT-563

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