J112-D27Z

JFET N-CH 35V 625MW TO92
J112-D27Z P1
J112-D27Z P1
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ON Semiconductor ~ J112-D27Z

Numéro d'article
J112-D27Z
Fabricant
ON Semiconductor
La description
JFET N-CH 35V 625MW TO92
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- J112-D27Z PDF online browsing
Famille
Transistors - JFET
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Numéro d'article J112-D27Z
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS) 35V
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 5mA @ 15V
Drain de courant (Id) - Max -
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id 1V @ 1µA
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Résistance - RDS (On) 50 Ohms
Puissance - Max 625mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Package de périphérique fournisseur TO-92-3

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