HUF76633S3ST-F085

MOSFET N-CH 100V 39A TO-263AB
HUF76633S3ST-F085 P1
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ON Semiconductor ~ HUF76633S3ST-F085

Numéro d'article
HUF76633S3ST-F085
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 100V 39A TO-263AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article HUF76633S3ST-F085
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 39A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1810pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 183W (Tj)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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