FGY100T65SCDT

FS3TIGBT TO247 100A 650V
FGY100T65SCDT P1
FGY100T65SCDT P1
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ON Semiconductor ~ FGY100T65SCDT

Numéro d'article
FGY100T65SCDT
Fabricant
ON Semiconductor
La description
FS3TIGBT TO247 100A 650V
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FGY100T65SCDT PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article FGY100T65SCDT
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
Puissance - Max 750W
Échange d'énergie 5.4mJ (on), 3.8mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 157nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 84ns/216ns
Condition de test 400V, 100A, 4.7 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 62ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3 Variant
Package de périphérique fournisseur TO-247-3

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