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ON Semiconductor ~ FDD8896-F085

Numéro d'article	FDD8896-F085
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	17A (Ta), 94A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2525pF @ 15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	80W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252AA
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
FDD8424H	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK	-	45000	Détails
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