EFC4630R-TR

INTEGRATED CIRCUIT
EFC4630R-TR P1
EFC4630R-TR P1
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ON Semiconductor ~ EFC4630R-TR

Numéro d'article
EFC4630R-TR
Fabricant
ON Semiconductor
La description
INTEGRATED CIRCUIT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article EFC4630R-TR
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 24V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.6W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 4-XFBGA
Package de périphérique fournisseur EFCP1313-4CC-037

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