PRMD3Z

PRMD3/SOT1268/DFN1412-6
PRMD3Z P1
PRMD3Z P1
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Nexperia USA Inc. ~ PRMD3Z

Numéro d'article
PRMD3Z
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
PRMD3/SOT1268/DFN1412-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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Numéro d'article PRMD3Z
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1µA
Fréquence - Transition 230MHz
Puissance - Max 480mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-XFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur DFN1412-6

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