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BOM

PRMD10Z

PRMD10/SOT1268/DFN1412-6
Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés › PRMD10Z
PRMD10Z P1
PRMD10Z P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
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Nexperia USA Inc. ~ PRMD10Z

Numéro d'article
PRMD10Z
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
PRMD10/SOT1268/DFN1412-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- PRMD10Z PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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Numéro d'article PRMD10Z
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA
Fréquence - Transition 230MHz
Puissance - Max 480mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-XFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur DFN1412-6

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