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| Numéro d'article | PMXB56EN |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 209pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | DFN1010D-3 |
| Paquet / cas | 3-XDFN Exposed Pad |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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PMXB120EPE | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN | 0 | Détails | |
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PMXB120EPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3 | 0 | Détails | |
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PMXB350UPE | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN | 0 | Détails | |
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PMXB350UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3 | 0 | Détails | |
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PMXB360ENEA | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN | 5000 | Détails | |
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PMXB360ENEAZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 | 0 | Détails | |
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PMXB40UNE | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN | 0 | Détails | |
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PMXB40UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G | 0 | Détails | |
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PMXB43UNE | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN | 0 | Détails | |
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PMXB43UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G | 0 | Détails | |
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PMXB56EN | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN | 0 | Détails | |
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PMXB56ENZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G | 0 | Détails |