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| Numéro d'article | PHK04P02T,518 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 16V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4.66A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 528pF @ 12.8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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PHK04P02T,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC | 7500 | Détails |