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Nexperia USA Inc. ~ NX3020NAK,215

Numéro d'article	NX3020NAK,215
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.44nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	300mW (Ta), 1.06W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 Ohm @ 100mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-236AB (SOT23)
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
NX3020NAK,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 200MA TO-236AB		21000	Détails
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NX3020NAKVYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666		0	Détails
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