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Nexperia USA Inc. ~ BSS192,115

Numéro d'article	BSS192,115
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	240V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	90pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	560mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 200mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-89-3
Paquet / cas	TO-243AA

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
BSS100	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 220MA TO92	-	19310	Détails
BSS110	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 50V 170MA TO92	-	19310	Détails
BSS119 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119 E7796	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119 E7978	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
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BSS119NH6433XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23	-	0	Détails
BSS123	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	-	534000	Détails
BSS123 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails