MX2N5114

N CHANNEL JFET
MX2N5114 P1
MX2N5114 P1
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Microsemi Corporation ~ MX2N5114

Numéro d'article
MX2N5114
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
N CHANNEL JFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- MX2N5114 PDF online browsing
Famille
Transistors - JFET
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Numéro d'article MX2N5114
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS) 30V
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 90mA @ 18V
Drain de courant (Id) - Max -
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id 10V @ 1nA
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 15V
Résistance - RDS (On) 75 Ohm
Puissance - Max 500mW
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur TO-18 (TO-206AA)

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