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| Numéro d'article | JANTX2N5794U |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | 2 NPN (Dual) |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 30mA, 300mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10µA (ICBO) |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Puissance - Max | 600mW |
| Fréquence - Transition | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 6-SMD, No Lead |
| Package de périphérique fournisseur | 6-SMD |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Détails |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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