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| Numéro d'article | JANTX2N3637L |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | PNP |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 175V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10µA |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
| Puissance - Max | 1W |
| Fréquence - Transition | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Package de périphérique fournisseur | TO-5 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Détails |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |