JANSR2N5153U3

RH POWER BJT
JANSR2N5153U3 P1
JANSR2N5153U3 P1
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Microsemi Corporation ~ JANSR2N5153U3

Numéro d'article
JANSR2N5153U3
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
RH POWER BJT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- JANSR2N5153U3 PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
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Numéro d'article JANSR2N5153U3
État de la pièce Active
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 2.5A, 5V
Puissance - Max -
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 3-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur U3

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