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| Numéro d'article | JAN2N6901 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 1.69A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 8.33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.07A, 5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-205AF (TO-39) |
| Paquet / cas | TO-205AF Metal Can |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | Détails |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
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