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| Numéro d'article | JAN2N4449 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | NPN |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 20V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 400nA |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 1V |
| Puissance - Max | 360mW |
| Fréquence - Transition | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| Package de périphérique fournisseur | TO-46 (TO-206AB) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | Détails |
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JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
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JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
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JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
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JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
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JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |