APTM50DDAM65T3G

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
APTM50DDAM65T3G P1
APTM50DDAM65T3G P1
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Microsemi Corporation ~ APTM50DDAM65T3G

Numéro d'article
APTM50DDAM65T3G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTM50DDAM65T3G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article APTM50DDAM65T3G
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 51A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V
Puissance - Max 390W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP3
Package de périphérique fournisseur SP3

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