APTM20AM10FTG

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
APTM20AM10FTG P1
APTM20AM10FTG P1
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Microsemi Corporation ~ APTM20AM10FTG

Numéro d'article
APTM20AM10FTG
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTM20AM10FTG PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article APTM20AM10FTG
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 224nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13700pF @ 25V
Puissance - Max 694W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP4
Package de périphérique fournisseur SP4

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