APTGV50H120T3G

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
APTGV50H120T3G P1
APTGV50H120T3G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGV50H120T3G

Numéro d'article
APTGV50H120T3G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGV50H120T3G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGV50H120T3G
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT, Trench Field Stop
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 75A
Puissance - Max 270W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.6nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP3
Package de périphérique fournisseur SP3

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