APTGLQ75H120TG

POWER MODULE - IGBT
APTGLQ75H120TG P1
APTGLQ75H120TG P1
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Microsemi Corporation ~ APTGLQ75H120TG

Numéro d'article
APTGLQ75H120TG
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
POWER MODULE - IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGLQ75H120TG PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGLQ75H120TG
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 130A
Puissance - Max 385W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur SP4

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