APTGLQ75H120T3G

PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3
APTGLQ75H120T3G P1
APTGLQ75H120T3G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGLQ75H120T3G

Numéro d'article
APTGLQ75H120T3G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGLQ75H120T3G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGLQ75H120T3G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 130A
Puissance - Max 385W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1

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