APTC60DAM18CTG

MOSFET N-CH 600V 143A SP4
APTC60DAM18CTG P1
APTC60DAM18CTG P1
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Microsemi Corporation ~ APTC60DAM18CTG

Numéro d'article
APTC60DAM18CTG
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOSFET N-CH 600V 143A SP4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article APTC60DAM18CTG
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 143A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1036nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 833W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 71.5A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SP4
Paquet / cas SP4

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