Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | APT60S20BG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 75A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 60A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 55ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 200V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-2 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT6010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | - | 4 | Détails |
 |
APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | - | 2 | Détails |
 |
APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | - | 3 | Détails |
 |
APT6017B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX | - | 15579 | Détails |
 |
APT6017LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 15 | Détails |
 |
APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 25 | Détails |
 |
APT6030BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | 0 | Détails | |
|
APT6040BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | Détails | |
|
APT6040BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | Détails | |
 |
APT60D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | - | 375 | Détails |
 |
APT60D100LCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | - | 0 | Détails |
 |
APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 | - | 0 | Détails |