APT50GF120JRDQ3

IGBT 1200V 120A 521W SOT227
APT50GF120JRDQ3 P1
APT50GF120JRDQ3 P2
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Microsemi Corporation ~ APT50GF120JRDQ3

Numéro d'article
APT50GF120JRDQ3
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 1200V 120A 521W SOT227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT50GF120JRDQ3 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APT50GF120JRDQ3
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 120A
Puissance - Max 521W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 750µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 5.32nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas ISOTOP
Package de périphérique fournisseur ISOTOP®

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