APT45GP120J

IGBT 1200V 75A 329W SOT227
APT45GP120J P1
APT45GP120J P2
APT45GP120J P1
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Microsemi Corporation ~ APT45GP120J

Numéro d'article
APT45GP120J
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT45GP120J PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APT45GP120J
État de la pièce Active
Type d'IGBT PT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 75A
Puissance - Max 329W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.94nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas ISOTOP
Package de périphérique fournisseur ISOTOP®

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