APT41M80B2

MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
APT41M80B2 P1
APT41M80B2 P1
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Microsemi Corporation ~ APT41M80B2

Numéro d'article
APT41M80B2
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article APT41M80B2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 43A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8070pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur T-MAX™ [B2]
Paquet / cas TO-247-3 Variant

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