APT30N60KC6

MOSFET N-CH 600V 30A TO-220
APT30N60KC6 P1
APT30N60KC6 P1
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Microsemi Corporation ~ APT30N60KC6

Numéro d'article
APT30N60KC6
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOSFET N-CH 600V 30A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article APT30N60KC6
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 960µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2267pF @ 25V
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 219W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 14.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220 [K]
Paquet / cas TO-220-3

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