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Microsemi Corporation ~ APT30GT60BRDQ2G

Numéro d'article	APT30GT60BRDQ2G
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	64A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	110A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 30A
Puissance - Max	250W
Échange d'énergie	80µJ (on), 605µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	7.5nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	12ns/225ns
Condition de test	400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	22ns
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-247-3
Package de périphérique fournisseur	TO-247 [B]

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
APT30D100BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247		0	Détails
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