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Microsemi Corporation ~ APT130SM70J

Numéro d'article	APT130SM70J
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss)	700V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	78A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 20V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3950pF @ 700V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	273W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur	ISOTOP®
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
APT1001R1BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD		0	Détails
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