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| Numéro d'article | APT130SM70B |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 700V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 60A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 700V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 556W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247-3 |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | Détails | |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | 0 | Détails | |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 0 | Détails |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | Détails |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | - | 0 | Détails |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 0 | Détails |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | - | 0 | Détails |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | - | 7 | Détails |
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APT10045B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | - | 6 | Détails |