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| Numéro d'article | APT10SCD65KCT |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Configuration de diode | 1 Pair Common Cathode |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) | 17A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 10A |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 650V |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-220-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | Détails | |
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