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| Numéro d'article | 1N5811US |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 3A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 875mV @ 4A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SQ-MELF, B |
| Package de périphérique fournisseur | B, SQ-MELF |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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1N5059GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 8000 | Détails |
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1N5059GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 0 | Détails |
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1N5059TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | Détails |
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1N5059TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | Détails |
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1N5060 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A | - | 0 | Détails |
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1N5060GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 8000 | Détails |
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1N5060GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Détails |
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1N5060GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Détails |
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1N5060GPHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Détails |
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1N5060TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 0 | Détails |
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1N5060TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 20000 | Détails |
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1N5061 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A | - | 0 | Détails |