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| Numéro d'article | 1N5656AE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | Zener |
| Canaux unidirectionnels | 1 |
| Canaux bidirectionnels | - |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | 77.8V |
| Tension - Panne (Min) | 86.5V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 125V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | 12A |
| Puissance - Impulsion de crête | 1500W (1.5kW) |
| Protection de ligne électrique | No |
| Applications | General Purpose |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TA) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | DO-13 |
| Package de périphérique fournisseur | DO-13 (DO-202AA) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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1N5059GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 8000 | Détails |
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1N5059GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 0 | Détails |
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1N5059TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | Détails |
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1N5059TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | Détails |
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1N5060 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A | - | 0 | Détails |
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1N5060GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 8000 | Détails |
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1N5060GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Détails |
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1N5060GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Détails |
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1N5060GPHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Détails |
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1N5060TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 0 | Détails |
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1N5060TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 20000 | Détails |
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1N5061 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A | - | 0 | Détails |