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| Numéro d'article | MT47H512M4THN-25E:M |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de la mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille mémoire | 2Gb (512M x 4) |
| Fréquence d'horloge | 400MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 400ps |
| Interface de mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MT47H512M4EB-187E:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60FBGA | - | 0 | Détails |
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MT47H512M4EB-25E:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA | - | 0 | Détails |
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MT47H512M4EB-25E:C TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA | - | 0 | Détails |
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MT47H512M4EB-3:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60FBGA | - | 0 | Détails |
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MT47H512M4THN-25E:H | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA | 0 | Détails | |
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MT47H512M4THN-25E:M | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ | - | 12335 | Détails |
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MT47H512M4THN-25E:M TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA | - | 0 | Détails |
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MT47H512M4THN-37E:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 266MHZ 63FBGA | 0 | Détails | |
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MT47H512M4THN-3:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA | 0 | Détails | |
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MT47H512M4THN-3:H | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA | 0 | Détails | |
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MT47H512M8WTR-25E:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 63BGA | - | 0 | Détails |
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MT47H512M8WTR-25E:C TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 63BGA | - | 0 | Détails |