DS1230Y-120IND+

IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28EDIP
DS1230Y-120IND+ P1
DS1230Y-120IND+ P1
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Maxim Integrated ~ DS1230Y-120IND+

Numéro d'article
DS1230Y-120IND+
Fabricant
Maxim Integrated
La description
IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28EDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Mémoire
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Numéro d'article DS1230Y-120IND+
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire NVSRAM
La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Taille mémoire 256Kb (32K x 8)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 120ns
Temps d'accès 120ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Package de périphérique fournisseur 28-EDIP

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