VMM1000-01P

MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI
VMM1000-01P P1
VMM1000-01P P1
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IXYS ~ VMM1000-01P

Numéro d'article
VMM1000-01P
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article VMM1000-01P
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1000A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 800A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2355nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Y3-Li
Package de périphérique fournisseur Y3-Li

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