IXTT12N140

MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
IXTT12N140 P1
IXTT12N140 P1
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IXYS ~ IXTT12N140

Numéro d'article
IXTT12N140
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXTT12N140
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1400V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3720pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 6A, 10V
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-268
Paquet / cas TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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