IXTH1N170DHV

MOSFET N-CH
IXTH1N170DHV P1
IXTH1N170DHV P1
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IXYS ~ IXTH1N170DHV

Numéro d'article
IXTH1N170DHV
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXTH1N170DHV
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1700V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3090pF @ 25V
FET Caractéristique Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max) 290W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247HV
Paquet / cas TO-247-3 Variant

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