IXST35N120B

IGBT 1200V 70A 300W TO268
IXST35N120B P1
IXST35N120B P1
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IXYS ~ IXST35N120B

Numéro d'article
IXST35N120B
Fabricant
IXYS
La description
IGBT 1200V 70A 300W TO268
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXST35N120B PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article IXST35N120B
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT PT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 70A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 35A
Puissance - Max 300W
Échange d'énergie 5mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 120nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 36ns/160ns
Condition de test 960V, 35A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Package de périphérique fournisseur TO-268

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