IXKC40N60C

MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220
IXKC40N60C P1
IXKC40N60C P1
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IXYS ~ IXKC40N60C

Numéro d'article
IXKC40N60C
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXKC40N60C PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXKC40N60C
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Super Junction
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 28A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur ISOPLUS220™
Paquet / cas ISOPLUS220™

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