IXGQ35N120BD1

IGBT 1200V 75A 400W TO3P
IXGQ35N120BD1 P1
IXGQ35N120BD1 P1
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IXYS ~ IXGQ35N120BD1

Numéro d'article
IXGQ35N120BD1
Fabricant
IXYS
La description
IGBT 1200V 75A 400W TO3P
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXGQ35N120BD1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article IXGQ35N120BD1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 75A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 35A
Puissance - Max 400W
Échange d'énergie 900µJ (on), 3.8mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 140nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 40ns/270ns
Condition de test 960V, 35A, 3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 40ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3
Package de périphérique fournisseur TO-3P

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