IXFN90N85X

850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P
IXFN90N85X P1
IXFN90N85X P1
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IXYS ~ IXFN90N85X

Numéro d'article
IXFN90N85X
Fabricant
IXYS
La description
850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXFN90N85X
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 850V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13300pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC

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