IXBN75N170

IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
IXBN75N170 P1
IXBN75N170 P1
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IXYS ~ IXBN75N170

Numéro d'article
IXBN75N170
Fabricant
IXYS
La description
IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
IXBN75N170.pdf IXBN75N170 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article IXBN75N170
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 145A
Puissance - Max 625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 25µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 6.93nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur SOT-227B

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