FMP26-02P

MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC
FMP26-02P P1
FMP26-02P P1
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IXYS ~ FMP26-02P

Numéro d'article
FMP26-02P
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FMP26-02P
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 26A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2720pF @ 25V
Puissance - Max 125W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas i4-Pac™-5
Package de périphérique fournisseur ISOPLUS i4-PAC™

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