Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

IDT, Integrated Device Technology Inc ~ 70T633S12BCI8

Numéro d'article	70T633S12BCI8
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de la mémoire	SRAM
La technologie	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Taille mémoire	9Mb (512K x 18)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	12ns
Temps d'accès	12ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	2.4 V ~ 2.6 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	256-LBGA
Package de périphérique fournisseur	256-CABGA (17x17)

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
70T631S10BCI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 256CABGA	Détails
70T631S10BCI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 256CABGA	Détails
70T631S10BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 208CABGA	Détails
70T631S10BF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 208CABGA	Détails
70T631S12BCI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 12NS 256CABGA	Détails
70T631S12BCI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 12NS 256CABGA	Détails
70T631S12BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 12NS 208CABGA	Détails
70T631S12BF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 12NS 208CABGA	Détails
70T631S15BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 15NS 208CABGA	Détails
70T631S15BF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 15NS 208CABGA	Détails
70T633S10BC	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA	Détails
70T633S10BC8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA	Détails