IRG7CH50K10EF

IGBT CHIP WAFER
IRG7CH50K10EF P1
IRG7CH50K10EF P1
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Infineon Technologies ~ IRG7CH50K10EF

Numéro d'article
IRG7CH50K10EF
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT CHIP WAFER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article IRG7CH50K10EF
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 35A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 25A
Puissance - Max -
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte 170nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 50ns/280ns
Condition de test 600V, 35A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas Die
Package de périphérique fournisseur Die

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