IRF60R217

MOSFET N-CH 60V 58A
IRF60R217 P1
IRF60R217 P1
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Infineon Technologies ~ IRF60R217

Numéro d'article
IRF60R217
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 60V 58A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IRF60R217
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2170pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9 mOhm @ 35A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D-Pak
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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