IR25600STRPBF

IC DUAL MOSFET IGBT 8SO
IR25600STRPBF P1
IR25600STRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IR25600STRPBF

Numéro d'article
IR25600STRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IC DUAL MOSFET IGBT 8SO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article IR25600STRPBF
État de la pièce Active
Configuration pilotée Low-Side
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 6 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.7V
Courant - sortie de crête (source, évier) 2.3A, 3.3A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 15ns, 10ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC

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